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Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
UMR11N
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
?Land size figure(Unit : mm)
High frequency switching
?Features
1)Small mold type.(UMD6)
2)High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Structure
?Taping specifications(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings(Ta=25?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive peak) 80VRM
V
Reverse voltage (DC) 80VR
V
Forward current (Single) 300IFM
mA
Average retcified forward current 100Io mA
Surge current (t=1us) 4Isurge
A
Power dissipation 200Pd mW
Junction temperature 150Tj
?C
Tstg
?C
?Electical characteristics(Ta=25?C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr
--4nsVR=6V,IF=5mA,RL=50?
Reverse recoverytime
Storage temperature
?55 to ?150
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
dot (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.25±0.1
0.05
Each lead has same dimension
各リードとも
同寸法
(5)
(6)
(4)
1.3±0.1
0.65
0.65
(1)
(3)
(2)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7
0.1Min
0～0.1
ROHM : UMD6
JEITA : SC-88
JEDEC : SOT-363
UMD6
0.35
0.9
1.6
0.650.65
(1) (2) (3)
(4)
(5)
(6)
2.2±0.1
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.5±0.1
　　　　　 0
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ1.1±0.1
2.45±0.1
2.4±0.1
5.5±0.2
1.15±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.5
1/3
2011.06 - Rev.A
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